Динамический анализатор хемосорбции AMI-300 HP

Анализатор AMI-300 RHP предназначен для исследования хемосорбции и активности катализаторов при повышенном давлении (до 100 бар) в диапазоне температур 25 °C - 650 °C (опционально - от -130 °C до 1200 °C). Аналитические возможности AMI-300 включают определение дисперсности, активной поверхности и размера зерна катализатора, силы и количества кислотных/основных центров, проведение термопрограммируемых реакций ТПО/ТПВ/ТПД.

Измеряемые параметры хемосорбции

• Удельная площадь активной поверхности - величина, которая вычисляется из числа молекул, адсорбированных на поверхности одного грамма исследуемого образца. Для этого количество адсорбированных молекул умножается на площадь сечения активной молекул.
• Дисперсность - отношение количества реакционно-доступных активных атомов к общему количеству всех активных атомов. Доля активных атомов в образце по отношению к числу атомов материала-носителя как правило известна для исследуемого образца.
• Размер кристаллитов, активных по отношению к реакционному газу, оценивается из предположения, что они все имеют единую правильную форму, например, сферическую. Таким образом, характерный размер кристаллита можно выразить из предыдущих расчетов, используя величину удельной площади активной поверхности на грамм образца и дисперсность материала, из которой известна массовая доля его активной поверхности.
• Число активных центров равно числу прореагировавших молекул, умноженному на стехиометрический коэффициент реакции адсорбции. Молекула при взаимодействии с поверхностью может распадаться на молекулярные фрагменты или атомы и реагировать не с одним, а с большим числом активных центров. Стехиометрический коэффициент для каждой протекающей реакции позволяет пересчитать количество молекул газа в число активных центров, с ними прореагировавших.

Особенности и преимущества анализатора

• Измерения при повышенном давлени - до 100 бар
• Скорость нагрева: 1 – 50 С°/мин
• Стандартный диапазон температур: 25 °C - 650 °C (опционально - от -130 °C до 1200 °C)
• Проведение термопрограммируемых реакций ТПО/ТПВ/ТПД
• Проведение анализа удельной поверхности по методу БЭТ (опция)